
极性 N-Channel
耗散功率 0.83 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 475 mA
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 830mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N7002F,215 | NXP 恩智浦 | N 通道 MOSFET,高达 0.9A,NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N7002F,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-236AB N-Channel 60V 475mA | 当前型号 | N 通道 MOSFET,高达 0.9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | 当前型号 | |
型号: 2N7002ET1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 N-Channel 60V 310mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V | 2N7002F,215和2N7002ET1G的区别 | |
型号: NUD3160LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 60V 150mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NUD3160LT1G. 芯片, 电感性负载驱动器, 1通道 200MA SOT23-3, 整卷 | 2N7002F,215和NUD3160LT1G的区别 | |
型号: 2SK3019TL 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-416 N-Channel 30V 100mA 7ohms | 功能相似 | ROHM 2SK3019TL 晶体管, MOSFET, 低栅极驱动器, N沟道, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 V | 2N7002F,215和2SK3019TL的区别 |