2N3905TAR
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
2N3905TAR中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 1V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N3905TAR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N3905TAR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3905TAR 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-226-3 PNP | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3Pin TO-92 Ammo | 当前型号 |
| 型号： 2N3905BU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -40V -100mA | 完全替代 | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3Pin TO-92 Bulk | 2N3905TAR和2N3905BU的区别 |
| 型号： 2N3905_D29Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -40V -200mA | 完全替代 | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3Pin TO-92 T/R | 2N3905TAR和2N3905_D29Z的区别 |
| 型号： 2N3905 品牌： Central Semiconductor 封装： TO-226-3 | 类似代替 | 40V 200mA 625mW PNP Through Hole Silicon Transistor - TO-92 | 2N3905TAR和2N3905的区别 |