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24LC02BH-I/SN

24LC02BH-I/SN

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 电子元器件分类

2K I2C ™串行EEPROM,带有半阵列写保护 2K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-Protect

EEPROM 存储器 IC 2Kb(256 x 8) I²C 8-SOIC


得捷:
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC


立创商城:
24LC02BH-I/SN


艾睿:
EEPROM Serial-I2C 2K-bit 256 x 8 3.3V/5V 8-Pin SOIC N Tube


Allied Electronics:
2K, 256 X 8 SERIAL EE, 2.5V IND, 1/2 ARRAY WP


安富利:
EEPROM Serial-I2C 2K-bit 256 x 8 3.3V/5V 8-Pin SOIC N Tube


Chip1Stop:
EEPROM Serial-I2C 2K-bit 256 x 8 3.3V/5V 8-Pin SOIC N Tube


TME:
Memory; EEPROM; I2C; 256x8bit; 2.5÷5.5V; 400kHz; SO8


Verical:
EEPROM Serial-I2C 2K-bit 256 x 8 3.3V/5V 8-Pin SOIC N Tube


Win Source:
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC / EEPROM Memory IC 2Kb 256 x 8 I²C 400 kHz 900 ns 8-SOIC


24LC02BH-I/SN中文资料参数规格
技术参数

频率 0.1 MHz

工作电压 2.5V ~ 5.5V

供电电流 3 mA

时钟频率 400 kHz

存取时间 900 ns

存取时间Max 3500 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

24LC02BH-I/SN引脚图与封装图
24LC02BH-I/SN引脚图

24LC02BH-I/SN引脚图

24LC02BH-I/SN封装图

24LC02BH-I/SN封装图

24LC02BH-I/SN封装焊盘图

24LC02BH-I/SN封装焊盘图

在线购买24LC02BH-I/SN
型号 制造商 描述 购买
24LC02BH-I/SN Microchip 微芯 2K I2C ™串行EEPROM,带有半阵列写保护 2K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-Protect 搜索库存
替代型号24LC02BH-I/SN
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 24LC02BH-I/SN

品牌: Microchip 微芯

封装: 8SOIC

当前型号

2K I2C ™串行EEPROM,带有半阵列写保护 2K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-Protect

当前型号

型号: 24LC02BHT-I/SN

品牌: 微芯

封装: 8SOIC

完全替代

EEPROM Serial-I2C 2Kbit 256 x 8 3.3V/5V 8Pin SOIC N T/R

24LC02BH-I/SN和24LC02BHT-I/SN的区别

型号: 24LC02B-I/SN

品牌: 微芯

封装: SOIC 250B 5V 400kHz 8Pin

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型号: 24LC02BT-I/SN

品牌: 微芯

封装: SOIC 250B 5V 400kHz 8Pin

类似代替

24AA02/24LC02B I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 24AA02/24LC02B 系列设备 2 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。### 特点单电源,操作降低至 1.7V(24AA02 设备),2.5V(24LC02B 设备) 低功率 CMOS 技术:读取电流 1 mA(最大),待机电流 1 μA(最大) 2 线串行接口,I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3 ms(典型) 自定时擦除/写入周期 8 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip

24LC02BH-I/SN和24LC02BT-I/SN的区别