2N5210TFR
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
2N5210TFR中文资料参数规格
技术参数
频率 30 MHz
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @100µA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N5210TFR引脚图与封装图
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在线购买2N5210TFR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N5210TFR | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
替代型号2N5210TFR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5210TFR 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 50V 100mA 625mW | 当前型号 | NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 当前型号 |
| 型号： 2N5210TAR 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 50V 100mA | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3Pin TO-92 Ammo | 2N5210TFR和2N5210TAR的区别 |
| 型号： 2N5210NMBU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-226-3 NPN | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk | 2N5210TFR和2N5210NMBU的区别 |
| 型号： 2N5210BU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 50V 100mA 625mW | 类似代替 | NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 2N5210TFR和2N5210BU的区别 |