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2N5951
Fairchild 飞兆/仙童 主动器件
2N5951中文资料参数规格
技术参数

频率 1 kHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 13 mA

击穿电压 -30.0 V

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

栅源击穿电压 30.0 V

击穿电压 30 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

额定电压 30 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N5951引脚图与封装图
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在线购买2N5951
型号 制造商 描述 购买
2N5951 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N5951  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 7 mA, 13 mA, 5 V, TO-92, JFET 搜索库存
替代型号2N5951
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N5951

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-92 N-Channel 30V 13mA 350mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N5951  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 7 mA, 13 mA, 5 V, TO-92, JFET

当前型号

型号: 2N5951LEADFREE

品牌: Central Semiconductor

封装:

功能相似

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92, TO-92, 3Pin

2N5951和2N5951LEADFREE的区别

型号: 2N5951TRE

品牌: Central Semiconductor

封装:

功能相似

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92,

2N5951和2N5951TRE的区别

型号: 2N5951TRELEADFREE

品牌: Central Semiconductor

封装:

功能相似

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92

2N5951和2N5951TRELEADFREE的区别