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25AA256-I/SN

25AA256-I/SN

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 主动器件

25AA256/25LC256 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA256/25LC256 系列设备为 256K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。### 特点最大时钟 10 MHz 最大写入电流 5 mA 读取电流:6 mA(典型) 待机电流:1 μA(典型) 32,768 x 8 位组织 64 字节页面 自定时擦除和写入周期,5ms(最大) 块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性:>1M 擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip

25AA256/25LC256 SPI 串行 EEPROM

的 25AA256/25LC256 系列设备为 256K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。

使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。

### 特点

最大时钟 10 MHz

最大写入电流 5 mA

读取电流:6 mA(典型)

待机电流:1 μA(典型)

32,768 x 8 位组织

64 字节页面

自定时擦除和写入周期,5ms(最大)

块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列

内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚

顺序读取

耐受性:>1M 擦除/写入周期

数据保留:>200 年

ESD 保护:>4000V

25AA256-I/SN中文资料参数规格
技术参数

频率 10 MHz

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

工作电压 1.8V ~ 5.5V

供电电流 6 mA

针脚数 8

时钟频率 10 MHz

存取时间 50 ns

内存容量 32000 B

输入电容 7 pF

上升时间 100 ns

下降时间 100 ns

存取时间Max 50 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.8V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 车用, Automotive, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

25AA256-I/SN引脚图与封装图
25AA256-I/SN引脚图

25AA256-I/SN引脚图

25AA256-I/SN封装图

25AA256-I/SN封装图

25AA256-I/SN封装焊盘图

25AA256-I/SN封装焊盘图

在线购买25AA256-I/SN
型号 制造商 描述 购买
25AA256-I/SN Microchip 微芯 25AA256/25LC256 SPI 串行 EEPROM Microchip 的 25AA256/25LC256 系列设备为 256K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。 ### 特点 最大时钟 10 MHz 最大写入电流 5 mA 读取电流:6 mA(典型) 待机电流:1 μA(典型) 32,768 x 8 位组织 64 字节页面 自定时擦除和写入周期,5ms(最大) 块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性:>1M 擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip 搜索库存
替代型号25AA256-I/SN
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 25AA256-I/SN

品牌: Microchip 微芯

封装: SOIC 32000B 5V 10MHz 8Pin

当前型号

25AA256/25LC256 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA256/25LC256 系列设备为 256K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。### 特点最大时钟 10 MHz 最大写入电流 5 mA 读取电流:6 mA(典型) 待机电流:1 μA(典型) 32,768 x 8 位组织 64 字节页面 自定时擦除和写入周期,5ms(最大) 块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性:>1M 擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip

当前型号

型号: 25LC256-I/SN

品牌: 微芯

封装: SOIC 32000B 5V 10MHz 8Pin

类似代替

25AA256/25LC256 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA256/25LC256 系列设备为 256K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。### 特点最大时钟 10 MHz 最大写入电流 5 mA 读取电流:6 mA(典型) 待机电流:1 μA(典型) 32,768 x 8 位组织 64 字节页面 自定时擦除和写入周期,5ms(最大) 块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性:>1M 擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip

25AA256-I/SN和25LC256-I/SN的区别

型号: 25AA256T-I/SN

品牌: 微芯

封装: SOIC 256000B 5V 5MHz 8Pin

类似代替

25AA256系列 256Kb 32Kx8 1.8V SO-8 串行 SPI总线 电可擦除 工业温度 卷盘

25AA256-I/SN和25AA256T-I/SN的区别

型号: 25AA256-I/SM

品牌: 微芯

封装: SOIC 32000B 5V 10MHz 8Pin

类似代替

MICROCHIP  25AA256-I/SM  芯片, 存储器, EEPROM, 256Kb, SPI, 10MHZ, SOIC-8

25AA256-I/SN和25AA256-I/SM的区别