2N5952
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
主动器件
2N5952中文资料参数规格
技术参数
频率 1 kHz
额定电压DC -30.0 V
额定电流 8 mA
额定功率 350 mW
击穿电压 -30.0 V
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
输入电容 6.00 pF
漏源极电压Vds 30.0 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
额定电压 30 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N5952引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N5952
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5952 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 N-Channel -30V 8mA 350mW | 当前型号 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 NCh RF Transistor | 当前型号 |
| 型号： 2N5952LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92, TO-92, 3Pin | 2N5952和2N5952LEADFREE的区别 |
| 型号： 2N5952TRELEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92 | 2N5952和2N5952TRELEADFREE的区别 |