2N3906-G
数据手册.pdf
Comchip Technology
上华科技
分立器件
2N3906-G中文资料参数规格
技术参数
频率 250 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 30 @100mA, 1V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N3906-G引脚图与封装图
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