2SK3756TE12L,F

Toshiba 东芝主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS

RF Mosfet N-Channel 4.5V 200mA 470MHz 12dB 32dBm SC-62

得捷:
MOSFET N-CH PW-MINI

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 7.5V 1A 4-Pin3+Tab PW-Mini T/R

Win Source:
MOSFET N-CH PW-MINI

2SK3756TE12L,F中文资料参数规格

技术参数

频率 470 MHz

额定电流 1 A

耗散功率 3 W

输出功率 32 dBm

增益 12 dB

测试电流 200 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -45 ℃

耗散功率Max 3000 mW

额定电压 7.5 V

封装参数

引脚数 4

封装 PW-Mini-3

外形尺寸

封装 PW-Mini-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SK3756TE12L,F引脚图与封装图

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