2N3819
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
2N3819中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 360 mW
漏源极电压Vds 25 V
栅源击穿电压 25.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 25 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N3819引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N3819
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3819 品牌： Central Semiconductor 封装： TO-92 N-Channel 360mW | 当前型号 | TRANS JFET N-CH 25V 10mA TO-92 | 当前型号 |
| 型号： 2N3819-E3 品牌： Vishay Intertechnology 封装： | 功能相似 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, P-Channel, Junction FET, TO-226AA, TO-92, 3 PIN | 2N3819和2N3819-E3的区别 |