
额定电压DC 60.0 V
额定电流 115 mA
针脚数 3
漏源极电阻 5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N7002MTF | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002MTF 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N7002MTF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 N-Channel 60V 200mA 5ohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002MTF 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 | |
型号: 2N7002 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 N-Channel 60V 120mA 7.5ohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V | 2N7002MTF和2N7002的区别 | |
型号: 2N7002LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 N-Channel 60V 115mA 7.5ohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V | 2N7002MTF和2N7002LT1G的区别 | |
型号: 2N7002-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-23 N-Channel 60V 115mA 4.4Ω | 功能相似 | 2N7002-7-F 编带 | 2N7002MTF和2N7002-7-F的区别 |