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2N7002MTF
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002MTF  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.5 V

增强模式 N 通道 MOSFET, Semiconductor

增强模式场效应 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。

### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

2N7002MTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 115 mA

针脚数 3

漏源极电阻 5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 mW

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 200 mA

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.2 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N7002MTF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2N7002MTF Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002MTF  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存
替代型号2N7002MTF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N7002MTF

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-92 N-Channel 60V 200mA 5ohms

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002MTF  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.5 V

当前型号

型号: 2N7002

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 N-Channel 60V 120mA 7.5ohms

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