2SK3075TE12L,Q

Toshiba 东芝主动器件

Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; SMT; 50%

RF Mosfet N-Channel 9.6V 50mA 520MHz 11.7dB 7.5W PW-X

得捷:
MOSF RF N CH 30V 5A PW-X

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin PW-X T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; SMT; 50%

Win Source:
MOSF RF N CH 30V 5A PW-X

2SK3075TE12L,Q中文资料参数规格

技术参数

频率 520 MHz

额定电流 5 A

额定功率 20 W

输出功率 7.5 W

增益 11.7 dB

测试电流 50 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -45 ℃

耗散功率Max 20000 mW

额定电压 30 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PW-X

外形尺寸

封装 PW-X

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SK3075TE12L,Q引脚图与封装图

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2SK3075TE12L,Q	Toshiba 东芝	Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; SMT; 50%	搜索库存