2SC4228-A

California Eastern Laboratories 分立器件

Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 150mW

RF Transistor NPN 10V 35mA 8GHz 150mW Surface Mount SC-70-3

得捷:
RF TRANS NPN 10V 8GHZ SC70-3

艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 150mW

2SC4228-A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 7.5 dB

最小电流放大倍数hFE 50 @5mA, 3V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC4228-A引脚图与封装图

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