2SC5095-RTE85L,F
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Toshiba
东芝
分立器件
2SC5095-RTE85L,F中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 10 V
增益 13dB ~ 7.5dB
最小电流放大倍数hFE 50 @7mA, 6V
额定功率Max 100 mW
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323
外形尺寸
封装 SOT-323
物理参数
工作温度 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SC5095-RTE85L,F引脚图与封装图
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在线购买2SC5095-RTE85L,F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SC5095-RTE85L,F | Toshiba 东芝 | Trans GP BJT NPN 10V 0.015A 3Pin USM T/R | 搜索库存 |
替代型号2SC5095-RTE85L,F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SC5095-RTE85L,F 品牌： Toshiba 东芝 封装： SC-70 100mW | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 10V 0.015A 3Pin USM T/R | 当前型号 |
| 型号： BFU520WX 品牌： 恩智浦 封装： SC-70 450mW | 功能相似 | 24 V 30 mA 2 GHz 19 dB 双 NPN 宽带 硅 RF 晶体管 - SOT363-6 | 2SC5095-RTE85L,F和BFU520WX的区别 |