2SC5008-A

California Eastern Laboratories 分立器件

Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 0.125W1/8W

RF Transistor NPN 10V 35mA 8GHz 125mW Surface Mount

得捷:
RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT523

艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 125mW

2SC5008-A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 125 mW

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 7.5 dB

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 3V

额定功率Max 125 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 125 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-523

外形尺寸

封装 SOT-523

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC5008-A引脚图与封装图

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2SC5008-A	California Eastern Laboratories	Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 0.125W1/8W	搜索库存