2SC5338-AZ
数据手册.pdf
California Eastern Laboratories
分立器件
2SC5338-AZ中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 10 dB
最小电流放大倍数hFE 50 @50mA, 5V
额定功率Max 1.8 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-243
外形尺寸
封装 TO-243
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
2SC5338-AZ引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2SC5338-AZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SC5338-AZ | California Eastern Laboratories | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 4Pin POWER MINIMOLD | 搜索库存 |