2SC5455-A

California Eastern Laboratories 分立器件

Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 200mW

RF Transistor NPN 6V 100mA 12GHz 200mW Surface Mount

得捷:
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143

贸泽:
RF Bipolar Transistors NPN Silicon 12GHz NF 1.5dB

艾睿:
Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 200mW

2SC5455-A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 6 V

增益 10 dB

最小电流放大倍数hFE 75 @30mA, 3V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-253-4

外形尺寸

封装 TO-253-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC5455-A引脚图与封装图

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