2N2857
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
2N2857中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 30 @3mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 150
额定功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-72
外形尺寸
封装 TO-72
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N2857引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N2857
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N2857 品牌： Central Semiconductor 封装： TO72 | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 15V 0.04A 4Pin TO-72 Box | 当前型号 |
| 型号： MMBT918 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | t-Npn Si- Vhf | 2N2857和MMBT918的区别 |