2SC3356-A

California Eastern Laboratories 分立器件

Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 200mW 3Pin Mini-Mold

RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount

得捷:
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

贸泽:
RF Bipolar Transistors NPN Silicon 7GHz NF 1.1dB

艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 200mW 3-Pin Mini-Mold

2SC3356-A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 11.5 dB

最小电流放大倍数hFE 50 @20mA, 10V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1.3 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC3356-A引脚图与封装图

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2SC3356-A	California Eastern Laboratories	Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 200mW 3Pin Mini-Mold	搜索库存