2N918
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
2N918中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 300 mW
增益频宽积 600 MHz
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 20 @3mA, 1V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-72-3
外形尺寸
长度 5.84 mm
宽度 5.84 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-72-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N918引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N918
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N918 品牌： Central Semiconductor 封装： TO72 | 当前型号 | NPN 15 V 50 mA 通孔 硅 RF 晶体管 - TO-72 | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N918 品牌： 美高森美 封装： TO-72 | 功能相似 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | 2N918和JANTXV2N918的区别 |
| 型号： JAN2N918 品牌： Semicoa Semiconductor 封装： | 功能相似 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A IC, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-72, HERMETIC SEALED, METAL CAN-4 | 2N918和JAN2N918的区别 |
| 型号： JANS2N918 品牌： 美高森美 封装： TO-72 | 功能相似 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A IC, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-72, TO-72, 4Pin | 2N918和JANS2N918的区别 |