2SC5338-T1-AZ
数据手册.pdf
California Eastern Laboratories
分立器件
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 10 dB
最小电流放大倍数hFE 50 @50mA, 5V
额定功率Max 1.8 W
耗散功率Max 1.8 W
安装方式 Surface Mount
封装 TO-243
封装 TO-243
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SC5338-T1-AZ | California Eastern Laboratories | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 4Pin POWER MINIMOLD | 搜索库存 |