2SC5011-A

California Eastern Laboratories 分立器件

Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 150mW

RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 150mW Surface Mount

得捷:
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343

贸泽:
RF Bipolar Transistors NPN Silicon 6.5GHz NF 1.1dB

艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 150mW

2SC5011-A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 13 dB

最小电流放大倍数hFE 50 @20mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC5011-A引脚图与封装图

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