2SC5606-A

California Eastern Laboratories 分立器件

Trans RF BJT NPN 3.3V 0.035A 115mW

RF Transistor NPN 3.3V 35mA 21GHz 115mW Surface Mount

得捷:
RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523

艾睿:
Trans RF BJT NPN 3.3V 0.035A 115mW

2SC5606-A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 115 mW

击穿电压集电极-发射极 3.3 V

增益 12.5 dB

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 2V

额定功率Max 115 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 115 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-523

外形尺寸

封装 SOT-523

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC5606-A引脚图与封装图

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