2N4123-AP

Micro Commercial Components(美微科) 电子元器件分类

TO-92 NPN 30V 0.2A

Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 200 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92

得捷:
TRANS NPN 30V 0.2A TO92

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo

富昌:
2N4123 Series 30 V 0.2 A NPN Silicon General Purpose Transistor - TO-92-3

2N4123-AP中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.2A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92

外形尺寸

封装 TO-92

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2N4123-AP引脚图与封装图

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2N4123-AP	Micro Commercial Components 美微科	TO-92 NPN 30V 0.2A	搜索库存

替代型号2N4123-AP

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 2N4123-AP 品牌： Micro Commercial Components 美微科封装：	当前型号	TO-92 NPN 30V 0.2A	当前型号
型号： 2N4123TAR 品牌：飞兆/仙童封装： TO-92 NPN 40V 200mA	类似代替	Trans GP BJT NPN 30V 0.2A 3Pin TO-92 Ammo	2N4123-AP和2N4123TAR的区别
型号： 2N4123TFR 品牌：飞兆/仙童封装： TO-92 NPN 40V 200mA	类似代替	Trans GP BJT NPN 30V 0.2A 3Pin TO-92 T/R	2N4123-AP和2N4123TFR的区别
型号： 2N4123TA 品牌：飞兆/仙童封装： TO-92 NPN 40V 200mA	类似代替	Trans GP BJT NPN 30V 0.2A 3Pin TO-92 Ammo	2N4123-AP和2N4123TA的区别