
击穿电压集电极-发射极 20 V
最小电流放大倍数hFE 40 @50mA, 15V
额定功率Max 1 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-39-3
宽度 9.4 mm
封装 TO-39-3
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N5109 | Central Semiconductor | 2N 系列 20 V 1200 MHz NPN 通孔 外延 平面 RF 晶体管 - TO-39 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N5109 品牌: Central Semiconductor 封装: TO39 | 当前型号 | 2N 系列 20 V 1200 MHz NPN 通孔 外延 平面 RF 晶体管 - TO-39 | 当前型号 | |
型号: JANTX2N5109 品牌: Semicoa Semiconductor 封装: TO-39 1000mW | 功能相似 | Trans RF BJT NPN 20V 0.4A 3Pin TO-39 | 2N5109和JANTX2N5109的区别 | |
型号: 2N5943 品牌: Advanced Semiconductor 封装: | 功能相似 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A IC, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-39, TO-39, 3Pin | 2N5109和2N5943的区别 |