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2SC5632G0L

2SC5632G0L

数据手册.pdf
Panasonic(松下) 分立器件

SMini3-G1 NPN 8V 0.05A

RF Transistor NPN 8V 50mA 1.1GHz 150mW Surface Mount SMini3-F2


得捷:
RF TRANS NPN 8V 1.1GHZ SMINI3-F2


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 8V 0.05A 3-Pin SMini3-G1 T/R


2SC5632G0L中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 8 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 100 @2mA, 4V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-85

外形尺寸

封装 SC-85

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC5632G0L引脚图与封装图
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