2SC5086-Y,LF

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 0.1W1/10W 3Pin SSM T/R

RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 100mW Surface Mount SSM

得捷:
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM

贸泽:
RF Bipolar Transistors Radio-Frequency Bipolar Transistor

艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 100mW 3-Pin SSM T/R

安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin SOT-416

Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 100mW 3-Pin SSM T/R

Win Source:
TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM

2SC5086-Y,LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100 mW

增益频宽积 7 GHz

击穿电压集电极-发射极 12 V

最小电流放大倍数hFE 120 @20mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 240 @20mA, 10V

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75-3

外形尺寸

封装 SC-75-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

2SC5086-Y,LF引脚图与封装图

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2SC5086-Y,LF	Toshiba 东芝	Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 0.1W1/10W 3Pin SSM T/R	搜索库存