
耗散功率 115 mW
击穿电压集电极-发射极 3.3 V
增益 14 dB
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 2V
额定功率Max 115 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 115 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-523
高度 0.75 mm
封装 SOT-523
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SC5606-T1-A | California Eastern Laboratories | Trans RF BJT NPN 3.3V 0.035A 115mW 3Pin Ultra Super Mini-Mold T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SC5606-T1-A 品牌: California Eastern Laboratories 封装: SOT-523 115mW | 当前型号 | Trans RF BJT NPN 3.3V 0.035A 115mW 3Pin Ultra Super Mini-Mold T/R | 当前型号 | |
型号: NE66219-A 品牌: California Eastern Laboratories 封装: SOT-523 | 完全替代 | Trans RF BJT NPN 3.3V 0.035A 3Pin Ultra Super Mini-Mold | 2SC5606-T1-A和NE66219-A的区别 | |
型号: NE66219-T1-A 品牌: California Eastern Laboratories 封装: SOT-523 115mW | 完全替代 | NE66219 系列 25 GHz 15 V 35 mA 115 mW NPN 射频 晶体管 - Minimold-3 | 2SC5606-T1-A和NE66219-T1-A的区别 |