锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

2SC5008-T1-A

2SC5008-T1-A

数据手册.pdf
California Eastern Laboratories 分立器件

Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 0.125W1/8W

RF Transistor NPN 10V 35mA 8GHz 125mW Surface Mount SOT-523


得捷:
RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT523


艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 125mW


安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.035A 3-Pin Ultra Super Mini-Mold T/R


Win Source:
RF TRANSISTOR NPN SOT-523


2SC5008-T1-A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 125 mW

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 7.5 dB

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 3V

额定功率Max 125 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 125 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523

外形尺寸

封装 SOT-523

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC5008-T1-A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2SC5008-T1-A
型号 制造商 描述 购买
2SC5008-T1-A California Eastern Laboratories Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 0.125W1/8W 搜索库存
替代型号2SC5008-T1-A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SC5008-T1-A

品牌: California Eastern Laboratories

封装: SOT-523 125mW

当前型号

Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 0.125W1/8W

当前型号

型号: NE68019-T1-A

品牌: California Eastern Laboratories

封装: SOT-523 NPN 100mW

功能相似

射频RF双极晶体管 NPN High Frequency

2SC5008-T1-A和NE68019-T1-A的区别