2SC5066-O,LF

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans RF BJT NPN 12V 0.03A 3Pin SSM

RF NPN 12V 30mA 7GHz 100mW 表面贴装型 SSM

得捷:
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM

艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.03A 100mW 3-Pin SSM T/R

Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.03A 100mW 3-Pin SSM T/R

Win Source:
TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM

2SC5066-O,LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416

外形尺寸

封装 SOT-416

物理参数

材质 Silicon

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC5066-O,LF引脚图与封装图

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2SC5066-O,LF	Toshiba 东芝	Trans RF BJT NPN 12V 0.03A 3Pin SSM	搜索库存