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2N4126TF
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
2N4126TF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -200 mA

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 360

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N4126TF引脚图与封装图
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2N4126TF Fairchild 飞兆/仙童 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Transistor General Purpose 搜索库存