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2N5086TAR
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
2N5086TAR中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 150 @100µA, 5V

最大电流放大倍数hFE 500

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N5086TAR引脚图与封装图
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2N5086TAR Fairchild 飞兆/仙童 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Transistor General Purpose 搜索库存