2SC4915-O,LF
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
耗散功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
增益 17dB ~ 23dB
最小电流放大倍数hFE 70 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 200 @1mA, 6V
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
封装 SOT-416-3
材质 Silicon
工作温度 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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