2N7002-TP中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.115A
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
2N7002-TP引脚图与封装图
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在线购买2N7002-TP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N7002-TP | Micro Commercial Components 美微科 | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2N7002-TP 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 115mA, SOT-23, 整卷 | 搜索库存 |
替代型号2N7002-TP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N7002-TP 品牌： Micro Commercial Components 美微科 封装： SOT-23 N-Channel 60V 0.115A | 当前型号 | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2N7002-TP 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 115mA, SOT-23, 整卷 | 当前型号 |
| 型号： 2N7002E 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23/SC-59 N-Channel | 类似代替 | MOS场效应管/2N7002E 停产 | 2N7002-TP和2N7002E的区别 |
| 型号： SI2304-TP 品牌： 美微科 封装： SOT-23 N-CH 30V 2.5A | 类似代替 | N沟道 30V 2.5A | 2N7002-TP和SI2304-TP的区别 |
| 型号： 2N6659-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： BCY N-Channel | 类似代替 | TRANSISTOR 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AD, LEAD FREE, TO-39, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2N7002-TP和2N6659-E3的区别 |