2SC5085-OTE85L,F

Toshiba 东芝分立器件

Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3Pin SOT-323 Embossed T/R

RF NPN 12V 80mA 7GHz 100mW 表面贴装型 USM

得捷:
RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin SOT-323 Embossed T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin USM T/R

Win Source:
TRANS RF NPN 12V 1MHZ USM

2SC5085-OTE85L,F中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

最小电流放大倍数hFE 80 @20mA, 10V

额定功率Max 100 mW

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC5085-OTE85L,F引脚图与封装图

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