
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 4.7 mm
宽度 3.68 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
2N5401-AP | Micro Commercial Components 美微科 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 600mA 150V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: 2N5401-AP 品牌: Micro Commercial Components 美微科 封装: | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 600mA 150V | 当前型号 | |
型号: 2N5401RLRAG 品牌: 安森美 封装: TO-92 PNP -150V -600mA 625mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N5401RLRAG 双极性晶体管 | 2N5401-AP和2N5401RLRAG的区别 | |
型号: 2N5401RLRA 品牌: 安森美 封装: TO-92 PNP -150V -600mA | 功能相似 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 2N5401-AP和2N5401RLRA的区别 | |
型号: 2N5401TA 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -160V -600mA 0.625W | 功能相似 | PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor | 2N5401-AP和2N5401TA的区别 |