额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @100µA, 5V
额定功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Box TB
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N5210TAR 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 50V 100mA | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3Pin TO-92 Ammo | 当前型号 | |
型号: 2N5210TFR 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 50V 100mA 625mW | 完全替代 | NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 2N5210TAR和2N5210TFR的区别 | |
型号: 2N5210TF 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 50V 100mA | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3Pin TO-92 T/R | 2N5210TAR和2N5210TF的区别 | |
型号: 2N5210_D81Z 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 50V 100mA | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3Pin TO-92 T/R | 2N5210TAR和2N5210_D81Z的区别 |