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2PD602ASL,215

2PD602ASL,215

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
2PD602ASL,215中文资料参数规格
技术参数

频率 180 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 170 @150mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 40 @0.5A, 10V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2PD602ASL,215引脚图与封装图
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在线购买2PD602ASL,215
型号 制造商 描述 购买
2PD602ASL,215 NXP 恩智浦 TO-236AB NPN 50V 0.5A 搜索库存
替代型号2PD602ASL,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2PD602ASL,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO23-6AB NPN 250mW

当前型号

TO-236AB NPN 50V 0.5A

当前型号

型号: 2PD602AS,115

品牌: 恩智浦

封装: MPAK NPN

完全替代

MPAK NPN 50V 0.5A

2PD602ASL,215和2PD602AS,115的区别

型号: 2PD602ASL,235

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3 NPN 250mW

类似代替

TO-236AB NPN 50V 0.5A

2PD602ASL,215和2PD602ASL,235的区别

型号: MSD602-RT1G

品牌: 安森美

封装: SC-59 NPN 50V 100mA 200mW

功能相似

NPN通用放大器晶体管表面贴装 NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

2PD602ASL,215和MSD602-RT1G的区别