2N4401-AP中文资料参数规格
技术参数
频率 250 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 0.6 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 1V
额定功率Max 600 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT, Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N4401-AP引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N4401-AP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N4401-AP 品牌： Micro Commercial Components 美微科 封装： TO-226-3 NPN 40V 1A 600mW | 当前型号 | TO-92 NPN 40V | 当前型号 |
| 型号： 2N4401TA 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 40V 600mA 625mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N4401TA 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 20 hFE | 2N4401-AP和2N4401TA的区别 |
| 型号： 2N4401BU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 40V 600mA 625mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N4401BU 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE | 2N4401-AP和2N4401BU的区别 |
| 型号： 2N4401TAR 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 40V 600mA 625mW | 功能相似 | NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 2N4401-AP和2N4401TAR的区别 |