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2PB709ASW,115

2PB709ASW,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

SC-70 PNP 45V 0.1A

Bipolar BJT Transistor PNP 45V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount SOT-323


得捷:
NOW NEXPERIA 2PB709ASW - SMALL S


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R


2PB709ASW,115中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 290 @2mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 340

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2PB709ASW,115引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2PB709ASW,115 NXP 恩智浦 SC-70 PNP 45V 0.1A 搜索库存
替代型号2PB709ASW,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2PB709ASW,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SC-70 PNP 200mW

当前型号

SC-70 PNP 45V 0.1A

当前型号

型号: 2PB709ASL,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3 PNP 0.25W

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型号: 2PB709AS,115

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