2SK771-5-TB-E中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 40 V
输入电容Ciss 9pF @10VVds
额定功率Max 200 mW
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SK771-5-TB-E引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SK771-5-TB-E | ON Semiconductor 安森美 | JFET N-CH 20mA 200mW SCP | 搜索库存 |