锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

2N5550TAR
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
2N5550TAR中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 140 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

增益频宽积 300 MHz

击穿电压集电极-发射极 140 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.7 mm

宽度 3.93 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N5550TAR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N5550TAR
型号 制造商 描述 购买
2N5550TAR Fairchild 飞兆/仙童 Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3Pin TO-92 Ammo 搜索库存
替代型号2N5550TAR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N5550TAR

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-92 NPN 140V 600mA 625mW

当前型号

Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3Pin TO-92 Ammo

当前型号

型号: 2N5550_D26Z

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-226-3 NPN

完全替代

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial

2N5550TAR和2N5550_D26Z的区别

型号: 2N5550G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 140V 600mA 625mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  2N5550G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 140 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 60 hFE

2N5550TAR和2N5550G的区别

型号: 2N5550RLRPG

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 140V 600mA 625mW

类似代替

放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

2N5550TAR和2N5550RLRPG的区别