2N5639
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
2N5639中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 25.0 mA
击穿电压 -30.0 V
漏源极电阻 60 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 625 mW
漏源极电压Vds 30.0 V
连续漏极电流Ids 25.0 mA
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 10pF @12VVgs
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N5639引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N5639
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5639 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 N-Channel 30V 25mA 60ohms 350mW | 当前型号 | N沟道开关 N-Channel Switch | 当前型号 |
| 型号： 2N7002E 品牌： 光宝 封装： | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor, | 2N5639和2N7002E的区别 |