2N4416A
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
2N4416A中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 300 mW
漏源极电压Vds 35 V
漏源击穿电压 35 V
栅源击穿电压 35 V
连续漏极电流Ids 15.0 mA
击穿电压 35 V
输入电容Ciss 4pF @15VVds
额定功率Max 300 mW
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-72
外形尺寸
封装 TO-72
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N4416A引脚图与封装图
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在线购买2N4416A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N4416A | Central Semiconductor | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, TO-72, 3Pin | 搜索库存 |
替代型号2N4416A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N4416A 品牌： Central Semiconductor 封装： TO-72 N-Channel 300mW | 当前型号 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, TO-72, 3Pin | 当前型号 |