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2N5639_D75Z

2N5639_D75Z

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
2N5639_D75Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 50.0 mA

漏源极电阻 60 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 25.0 mA

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 10pF @12VVgs

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N5639_D75Z引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2N5639_D75Z Fairchild 飞兆/仙童 JFET N-CH 30V 0.35W TO92 搜索库存