2N5458
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
2N5458中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 10.0 mA
击穿电压 25.0 V
极性 N-Channel
耗散功率 625 mW
漏源极电压Vds 15.0 V
栅源击穿电压 25.0 V
连续漏极电流Ids 9.00 mA
击穿电压 25 V
输入电容Ciss 7pF @15VVds
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N5458引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N5458
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5458 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 N-Channel 25V 10mA 625mW | 当前型号 | N沟道通用放大器 N-Channel General Purpose Amplifier | 当前型号 |
| 型号： 2N5458G 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 25V 10mA 2mohms 310mW | 功能相似 | JFET的 - 通用型N沟道 - 耗尽 JFETs − General Purpose N−Channel − Depletion | 2N5458和2N5458G的区别 |