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2N4339-E3中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 -57.0 V

耗散功率 300 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-206

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2N4339-E3引脚图与封装图
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2N4339-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY 2N4339-E3 JFET Transistor, Junction Field Effect, -57V, 500µA, 1.5mA, -1.8V, TO-206AA, JFET 搜索库存