2N5461
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
2N5461中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 10.0 V
额定电流 10 mA
额定功率 350 mW
击穿电压 40.0 V
极性 P-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 40.0 V
连续漏极电流Ids 5.50 mA
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 7pF @15VVds
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 135 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N5461引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N5461
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5461 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 P-Channel 10V 10mA 350mW | 当前型号 | P沟道通用放大器 P-Channel General Purpose Amplifier | 当前型号 |
| 型号： 2N5461_L99Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 P-Channel 350mW | 完全替代 | Trans JFET P-CH 3Pin TO-92 T/R | 2N5461和2N5461_L99Z的区别 |
| 型号： 2N5461_D26Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 P-Channel -40V -10mA 350mW | 类似代替 | P沟道通用放大器 P-Channel General Purpose Amplifier | 2N5461和2N5461_D26Z的区别 |
| 型号： 2N5460-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-92 P-Channel 350mW | 类似代替 | Trans JFET P-CH 3Pin TO-226AA | 2N5461和2N5460-E3的区别 |