2N4393
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
2N4393中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 100 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
漏源极电压Vds 40.0 V
漏源击穿电压 40 V
栅源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 100 pA
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 14pF @20VVds
额定功率Max 1.8 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1.8 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18
外形尺寸
封装 TO-18
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 ECL99
2N4393引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N4393
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N4393 品牌： Central Semiconductor 封装： TO-18 N-Channel 100ohms 1800mW | 当前型号 | 2N 系列 40 V 30 mA N 沟道 结场效应晶体管 - TO-18 | 当前型号 |
| 型号： 2N4393-2 品牌： 威世 封装： 1800mW | 功能相似 | 2N4393 Series 40V 5mA Through Hole N-Channel JFET - TO-18 | 2N4393和2N4393-2的区别 |