2N5114UB
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N5114UB中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 75 Ω
漏源极电压Vds 30 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 25pF @15VVds
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SMD-3
外形尺寸
封装 SMD-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N5114UB引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N5114UB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5114UB 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SMD | 当前型号 | Trans JFET P-CH 30V 3Pin UB | 当前型号 |
| 型号： 2N5114UBE3 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | P-Channel | 2N5114UB和2N5114UBE3的区别 |